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Des chercheurs de l’Université de technologie de Chalmers, en Suède, ont mis au point un matériau atomiquement fin capable de faire coexister deux forces magnétiques opposées. Cette découverte pourrait permettre de réduire par dix la consommation énergétique des dispositifs mémoire, répondant ainsi à la demande croissante d’efficacité énergétique dans le traitement des données.
Les unités de mémoire, essentielles dans les technologies modernes comme les systèmes d’intelligence artificielle, les smartphones ou les véhicules autonomes, utilisent traditionnellement des structures multicouches complexes pour combiner deux états magnétiques fondamentaux : la ferromagnétisme et l’antiferromagnétisme. La ferromagnétisme aligne uniformément les électrons, tandis que l’antiferromagnétisme oppose les spins des électrons, annulant leurs effets magnétiques.
L’équipe de Chalmers a réussi à intégrer ces deux comportements magnétiques dans un seul cristal bidimensionnel ultrafin, éliminant ainsi le besoin d’un champ magnétique externe énergivore. Cette structure unique permet un basculement rapide des électrons grâce à une orientation magnétique inclinée intrinsèque, ce qui simplifie la fabrication et améliore la fiabilité des puces mémoire.
Ce progrès ouvre la voie à une nouvelle génération de solutions mémoire ultra-efficaces, cruciales pour l’évolution de l’intelligence artificielle et des technologies mobiles, dans un contexte où les besoins énergétiques liés à la gestion des données ne cessent d’augmenter.
